شرکت مهندسی نانو آداک

طراحی و ساخت، تأمین مواد و تجهیزات

طراحی و ساخت، تأمین مواد و تجهیزات

به وب سایت شرکت مهندسی نانو آداک خوش آمدید
شرکت مهندسی نانو آداک

آدرس :
دفتر فروش: تهران، بلوار کشاورز، نیش خ 16 آذر، مجتمع فناوری الزهرا، واحد 504
تلفن تماس : 02188962035
(شنبه تا چهارشنبه، ساعات 9 الی 17:30)
کارخانه : شاهدشهر، شهرک لاله، انتهای خیابان صنعت 1، بحر کانال آب، پلاک 12
تلفکس: 02186052907
موبایل : 09360980330
سامانه ی پیام کوتاه : 02188962035
Email : Nanoadaktrading@gmail.com
اینستاگرام : nanoadak@

crisp

۲ مطلب با کلمه‌ی کلیدی «لایه برداری پلاسمایی» ثبت شده است


واژه Etching به معنی «قلم زدن» است. همانطور که از معنی آن بر می آید برای قلم زدن سطوح لایه نشانی شده است. پس از اینکه لایه نشانی انجام شد برای ایجاد الگویی خاص بر روی ویفر لایه نشانی شده، عمل اِچینگ بر روی آن انجام می شود. در واقع عمل اِچینگ عکس لایه نشانی است و لایه ی نشانده شده بر سطح را به روش های مختلف می کند و الگویی خاص را بر جای می گذارد.

اِچینگ به طور کلی بر دو نوع است:

  • اِچینگ تر(Wet Etching)  
  • اِچینگ خشک (Dry Etching)

اِچینگ تر (Wet Etching)

این روش ساده ترین روش اِچینگ است. آنچه احتیاج دارد ظرفی محتوی مایع حلال است که بتواند لایه مورد نظر را در خود حل کند. البته این روش پیچیدگی هایی هم دارد. باید ماسک یا پوششی انتخاب شود که خود در معرض ماده حلال حل نشود یا سرعت حل شدن آن بسیار کم باشد. علاوه بر آن در مورد برخی تک کریستال ها چون سیلیکون، فرآیند اِچینگ برای برخی حلال ها به صورت ناهمسانگرد اتفاق می افتد. اِچینگ ناهمسانگرد در مقابل اِچینگ همسانگرد قرار دارد و به معنی نرخ اچینگ متفاوت در جهت های مختلف است. نتیجه اچینگ ناهمسانگرد، حفره ای هرمی شکل است در حالیکه اچینگ همسانگرد حفره ای گرد ایجاد می کند. در شکل زیر مقاطع اچینگ همسانگرد و ناهمسانگرد قابل مشاهده است.

چه موقع می توان از اچینگِ تَر استفاده کرد؟

این تکنولوژی زمانی به نتیجه مناسب می انجامد که ترکیب مناسبی از ماسک و حلال برای کاربرد مورد نظرتان پیدا کنید. یکی از مشکلات این روش در اچینگ همسانگرد بروز زیر-برش (Undercutting) یا خورده شدن ماده زیر ماسک است. در اچینگ ناهمسانگرد عمل خورده شدن در جایی متوقف شده و از ایجاد زیر-برش جلوگیری می شود اما خوردگی آن عمود بر سطح نیست و همانطور که گفته شد به صورت مایل و هرمی شکل است. همچنین باید توجه داشت اگر برش های مورد نظر شما توسط عمل اچینگ از مرتبه ضخامت لایه است در اچینگ همسانگرد به دلیل بروز زیر-برش دچار مشکل خواهید شد و عمل اچینگ با دقت خوبی انجام نخواهد شد و لازم است از روش اچینگ خشک استفاده کنید.

اچینگ خشک (Dry Etching)

اچینگ خشک خود به سه دسته تقسیم می شود:

  • Reactive Ion Etching (RIE)
  • Sputter Etching
  • Vapor Phase Etching

(Reactive Ion Etching (RIE

در این روش سطح لایه نشانی شده در محفظه ای شامل چند گاز واکنش دهنده قرار می گیرد. گاز های موجود از طریق یک منبع RF  (موج الکترومغناطیسی با فرکانس رادیویی) یونیزه می شوند و به سمت سطح شتاب داده می شوند. ترکیب این گازها ترکیب شیمیایی جدیدی را ایجاد می کند که باعث اچینگ شیمیایی سطح می شود. اما در این روش، اچینگ به صورت فیزیکی هم صورت می گیرد. فرآیندی شبیه به لایه نشانی به روش کند‌وپاش یا اسپاترینگ. یون های گازی که خود دارای انرژی جنبشی کافی هستند با برخورد مستقیم به سطح لایه عمل اچینگ را بدون یک واکنش شیمیایی و به صورت فیزیکی انجام  می دهند. این یک فرآیند بسیار پیچیده است تا بتوان اچینگ شیمیایی و فیزیکی را به تعادل رساند زیرا پارامتر های زیادی در ایجاد این تعادل نقش دارند. از آنجا که بخش شیمیایی، اچینگ همسانگرد ایجاد می کند و بخش فیزیکی آن اچینگی به شدت ناهمسانگرد، با تعادل این دو روش می توان اچینگی از حالت گرد تا دیواره عمودی ایجاد کرد. در شکل زیر نمای شماتیکی از این روش را می بینید.

(Deep Reactive Ion Etching (DRIE

یک رده خاص از اچینگ RIE است. در این روش هر عمقی از مرتبه چند صد میکرون با دیواره عمودی قابل دستیابی است. در این روش از دو نوع گاز استفاده می شود. یکی از آنها لایه ای از جنس پلیمر بر روی سطح ایجاد می کند و گاز دیگر به اچینگ سطح  می پردازد. پلیمر بلافاصله از طریق بخش فیزیکی اچینگ دچار اسپاترینگ می شود اما به صورت افقی و نه عمودی. از آنجا که پلیمر خیلی آهسته در مقابل بخش شیمیایی اچینگ حل می شود، دیواره ها را از خوردگی محافظت می کند. از این طریق حفره هایی با نسبت سطح 50 به 1 قابل ایجاد است. این روش از اچینگ دارای سرعتی سه تا چهار برابر اچینگِ تَر است.

Sputter Etching

اساس کار این روش همانند لایه نشانی به روش اسپاترینگ است. در این روش هم سطح، زیر بمباران یون های پر انرژی قرار می گیرد.

Vapor Phase Etching

در این روش هم عمل اچینگ همانند روش RIE اما با تجهیزات ساده تری انجام می شود. در این روش سطح لایه نشانی شده در محفظه ای در معرض یک یا چند گاز قرار می گیرد. لایه مورد نظر توسط ماده حاصل از واکنش شیمیایی گازها خورده می شود. دو ماده مورد استفاده متداول در این روش فلوئورید هیدروژن (HF) برای اچینگ دی اکسید سیلیکون است و دیگری دی فلوئورید زنون XeF2)) برای اچینگ سیلیکون که هر دو حفره های همسانگرد ایجاد می کنند. البته در طراحی چنین سیستمی باید دقت شود تا محصولات ثانویه ای علاوه بر ترکیبات مورد نیاز ایجاد نشوند و فرآیند اچینک را دچار اختلال نکنند.


منبع مطلب : واحد تحقیقات شرکت نانو آداک فناور


سازنده : BasaFan

ویژگی ها و قابلیت ها :

  • پایداری فرکانسی معادل ±0.005% 13.56مگاهرتز.
  • دارای محدود کننده توان انعکاسی
  • خنک سازی با هوا (بازده تبدیل DC به RF بزرگتر از 90 درصد) .
  •  صفحه کنترل لمسی و قابلیت کنترل با سیگنال آنالوگ.

معرفی 

 این مولد با فرکانس کار 13.56 مگاهرتز و توان خروجی 600 وات از پیشرفته ترین مولدهای قابل دسترس در بازارِ تجاری حال حاضر ایران می‌باشد .طراحی این مولدها، مجموعه ایست از هنرهای الکترونیکِ فرکانس رادیویی، حفاظت‌های توسعه یافته‌ی تقویت کننده توان ، کنترل حلقه بسته و حاشیه امنیت بالایِ لحاظ شده در طراحی‌ها.قابلیت ساخت و بازسازی آسان و بازده بسیار بالا از قابلیتهای منحصر به فرد دیگر این محصول است.

 ایمن بودن از نظر ایجاد تداخلات الکترومغناطیسی، قابلیت کار پیوسته، کنترل و کاربری آسان، اعلام نوع خطاهای رخ داده به صورت گرافیکی ، نمایش توان انتقالی و انعکاسی، دریافت ورودی صفر تا پنج ولت برای کنترل توان خروجی ژنراتور، دارای خروجی آنالوگ برای مقادیر توان انتقالی و انعکاسی، دارای قابلیت محدود کردن توان انعکاسی برای مقادیر بیش از 60 وات ، سیستم خنک­ کننده هوای فشرده از ویژگی های دیگر این مولد می باشد.  

 

کاربردها:

  • تولید نیمه هادی.
  • لایه نشانی پلاسمایی فیزیکی و شیمیایی.
  • لایه برداری پلاسمایی.
  • انجام پرازش های مختلف تحت پلاسما.
  • عملیات گرم کردن و ذوب دی الکتریک های تلفاتی.

مشخصات 

فرکانس

 13.56 مگاهرتز

پایداری فرکانس

±0.005%

محدوده توان خروجی

6 تا 600 وات به بار 50 اهم.

پایداری خروجی

20dBc-

توان انعکاسی

محدود شده به حداکثر 60 وات به طور خودکار

هارمونیک خروجی

-30dBc

AC  ورودی

200-240 ولت ،‌50 هرتز (برق شهر)

خنک سازی

هوای فشرده ( دارای یک درگاه فد در پشت دستگاه)

دمای کار

5 تا 40 درجه سیلسیوس

کنترل از دور

کنترل با ولتاژ آنالوگ 0 تا 5 ولت با کانکتور DB9 ، (RS284,RS232 به صورت آپشن )

ابعاد

22*17.6*45 سانتیمتر قابل نصب در رک.

کلید روشن / خاموش

یک کلید در پنل جلو

کانکتور خروجی

نوع N

آلارم

اضافه دما به صورت گرافیکی

وزن

15 کیلو گرم